场效应管原理、场效应管原理图:场效应管原理及应用简介
场效应管原理及应用简介 场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,是晶体管的一种。它是由美国贝尔实验室的William Shockley、John Bardeen和Walter Brattain于1947年发明的。场效应管的特点是输入电阻高、噪声小、频率响应宽、功耗低、可靠性高,被广泛应用于放大、开关、调制、调谐、稳压、振荡等电路中。 场效应管原理图 场效应管原理图如下所示: ![FET原理图](https://img-blog.csdn.net/